四氟化碳，又稱為四氟甲烷,既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲烷、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。四氟化碳是目前微電子工業中用量最大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。今天紐瑞德特氣小編月月為大家帶來使用四氟化碳電漿處理三氧化鉬之電荷捕捉層在快閃記憶體的應用介紹。

  于此我們將對三氧化鉬和鈦參雜三氧化鉬電荷捕捉層做探討，而高介電系數材料之MOHOS型記憶體能取代傳統SONOS型記憶體是由于其擁有高的電荷捕捉密度，好的熱穩定度，較大的導電帶平移和較薄的等效氧化層厚度，在我們應用三氧化鉬和鈦參雜之三氧化鉬做為電荷捕捉層的結果得知鈦參雜之三氧化鉬再經過熱退火后展現出了較佳的記憶體表現，如較大的記憶窗口、較快的寫入/抹除速度、較好的電荷保存能力和較佳之原件耐久度。

  除此之外，我們在三氧化鉬電荷捕捉層上使用四氟化碳電漿處理，在經過電漿處理后，記憶體將擁有較佳之遲滯現象以及較快的寫入/抹除速度。最后我們將比較二氧化鈰和鈦參雜之二氧化鈰之物性和電性，相較于二氧化鈰，二氧化鈰在經過鈦參雜后展現出較大的電容-電壓遲滯6.1V、較大的平帶電壓偏移、較小的電荷溢失9.9%和較佳的耐久度(在經過104次寫入抹除循環仍保有2.5V記憶窗口)。

  小常識：

  高純四氟化碳可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

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