氯氣氣體的使用在半導體製程中一直扮演著重要的角色，特別是半導體制作目前已被廣泛的應用于各項產業，凡舉傳統的ULSI、TFT-LCD到現在開始萌芽的微機電(MEMS)產業，皆以所謂的半導體製程為產品的製造流程，其中的蝕刻過程即使用到相當多的氯氣氣體。而氯氣供應系統是半導體廠中危險性最高的一環，由于氯氣具有強烈的劇毒/腐蝕性，任何些微的洩漏都可能造成人員生命的危害，也就是因為這些顯而易見的危險，所以對于氯氣供應系統設計安全性及相關作業操作的要求就特別高。

  學者是以氯氣供應系統運作的角度，去建立系統設置及作業時應注意或遵守的設計屬性與規范，并建立氯氣供應系統危害分析參考指標，藉此降低氯氣洩漏風險的適當控制。本研究以半導體廠為例，從氯氣供應系統以往所發生洩漏的問題點，包括鋼瓶儲存、搬運、更換及氣瓶柜設置維修等全部包含其中，利用失誤模式與影響分析(Failure Modes and Effects Analysis, FMEA)、失誤樹分析(Fault Tree Analysis, FTA)等分析問題點，以追蹤因人為操作或設備故障所導致洩漏的問題點，并藉此建立人員作業標淮程序及系統設置時的檢核表作為避免問題點重複發生的預防機制，進而增加氯氣供應系統的穩定性、提升人員作業的安全性、提高供應氣體的品質、減少意外洩漏發生機率。

  化學小常識：

  氯氣常溫常壓下為黃綠色氣體，經壓縮可液化為金黃色液態氯，是氯堿工業的主要產品之一，用作為強氧化劑與氯化劑。

  物態:氣態
  密度 （0 °C, 101.325 kPa）:3.2 g/L
  沸點時液體密度:1.5625 g·cm−3
  熔點:171.6 K，-101.5 °C，-150.7 °F
  沸點:239.11 K，-34.04 °C，-29.27 °F
  臨界點:416.9 K，7.991 MPa
  熔化熱:(Cl2) 6.406 kJ·mol−1
  汽化熱:(Cl2) 20.41 kJ·mol−1
  比熱容:(Cl2) 33.949 J·mol−1·K−1
 

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