硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產物主要包括AlCl3等

 

蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕刻和干法蝕刻。濕法蝕刻是利用液態化學試劑或溶液通過化學反應進行蝕刻。干法蝕刻利用低壓放電產生的等離子體中的離子或游離基與材料發生化學反應,或通過轟擊等物理作用而達到蝕刻的目的。其主要介質是氣體。干法蝕刻的優點是各向異性(即垂直方向蝕刻速率遠大于橫向速率)明顯、特征尺寸控制良好、化學品使用和處理費用低、蝕刻速率高、均勻性好、良率高等。常用的干法刻蝕是等離子體蝕刻。

 

蝕刻氣體氣體工業名詞，蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜，金屬膜等蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是，圖形邊緣整齊，線條清晰，圖形變換差小，且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體，通常多為氟化物氣體，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強，工藝控制精確，方便，無脫膠現象，無基片損傷和沾污，所以其應用范圍日益廣泛。