氣體在半導體工業和微電子工業中扮演著不可或缺的角色，其中除了大家熟知的一些大宗氣體以外，還有一個重要的分支:電子混合氣體。電子混合氣體廣泛用于大規模集成電路（L.S.I）超大規模集成電路（V.L.S.I）和半導體器件生產中，主要用于氣相外延（生成）、化學氣相淀積、摻雜（雜質擴散）、各類蝕刻和離子注入等工藝中。
根據不同用途又可以將電子混合氣體分為：晶體生長氣、熱氧化氣、外延氣、摻雜氣、擴散氣、化學氣相淀積氣、噴射氣、離子注入氣、等離子蝕刻氣、載氣/吹洗氣、光刻氣、退火氣、焊接氣、燒結氣和平衡氣等。
1、摻雜混合氣體
在半導體器件和集成電路制造中，將某些雜質摻入半導體材料內，使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN 結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱為摻雜氣。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體（如氬氣和氮氣）在源柜中混合，混合后氣流連續注入擴散爐內并環繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進而與硅反應生成摻雜金屬而徙動進入硅。
2、外延生長混合氣體
外延生長是一種單晶材料淀積并生產在襯底表面上的過程，在半導體工業中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽能電池和其他光感器的非晶硅膜淀積等。
3、離子注入氣體
在半導體器件和集成電路制造中，離子注入工藝所用的氣體統稱為離子注入氣，它是把離子化的雜質（如硼、磷、砷等離子）加速到高能級狀態，然后注入到預定的襯底上。離子注入技術在控制閥值電壓方面應用得最為廣泛。注入的雜質量可以通過測量離子束電流而求得。離子注入氣體通常指磷系、砷系和硼系氣體
4、蝕刻混合氣體
蝕刻就是將基片上無光刻膠掩蔽的加工表面（如金屬膜、氧化硅膜等）蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，以便在基片表面上獲得所需要的成像圖形。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。
干法化學蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體。蝕刻氣體通常多為氟化物氣體（鹵化物類），例如四氟化碳、
三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。
5、化學氣相淀積混合氣體
化學氣相淀積混合氣體（CVD）是利用揮發性化合物，通過氣相化學反應淀積某種單質或化合物的一種方法，即應用氣相化學反應的一種成膜方法。依據成膜種類，使用的化學氣相淀積（CVD）氣體也不相同。
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