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高純氮氣的消防應急措施
量隔離泄漏源。避免在與火 源碰撞時，在淺層區域沉積可能導致爆炸的氣體。用排煙風機將泄漏的廢氣送入開放空間。更多 +
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充SF6氣體時應注意的事項
充SF6氣體時應注意的事項 SF6有必要的設備來生產有毒物質。如果SF6氣體含有超過特定量的水分，當濕度變化時，它可以集中在固體絕緣表面，并將表面水分轉化為表面。SF6。在電弧和電暈活動過程中，氣體沉積產生的低氟結合氣體在沒有水分子的外部條件下不會產生SO2、HF和其他有害物質，從而避免它們引起的設備腐蝕。因此，當SF6供應充滿汽油時，應采取嚴格措施防止水進入。 （1） 工作開始前，應測量該區域周圍空氣的相對濕度80%（即在相同溫度下，空氣中的水入口與測 量的水入口的百分比更多 +
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氦質譜檢漏儀半導體設備及材料檢漏應用
真空設備越來越多地應用于半導體行業，如真空分離器（蒸發、濺射）、干式噴砂設備、熱處理設備（合金爐、退火爐）、摻雜設備（離子注入機等），這些設備將作為半導體技術發展不可或缺的條件發揮越來越重要的作用。 真空設備越來越多地用于半導體行業，如真空沉積設備（蒸發、濺射）、干式噴砂設備（ICP、RIE、PECVD）、熱處理設備（合金爐、退火爐）、摻雜設備（離子注入機等），這將作為半導體技術發展的先決條件發揮越來越重要的作用。氦質譜泄漏檢測器今天被廣泛用于半導體系統中的泄漏檢測。 半導體器件和材料泄漏檢測的原因：更多 +
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含氟蝕刻氣體的種類和介紹
目前，氟化蝕刻氣體是一種隱形的“刀具”，廣泛應用于半導體或LCD前端工藝，甚至可以在微米厚的薄層上切割納米級凹槽。你能仔細想想這幅畫嗎？ 那么，氟化蝕刻氣體是什么呢？它們是如何工作的？ 用于蝕刻的氣體稱為蝕刻氣體，通常是氟化物氣體，如四氟、全氟丁二烯、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。 含氟蝕刻氣體是電子氣體的一個重要分支，是制造超大集成電路、平面顯示器、太陽能電池和玻璃纖維等電子工業不可或缺的原材料。它們被廣泛用于半導體工藝，如薄膜、蝕刻、摻雜、氣相沉積和擴散。國家發展改革委《產業結構調更多 +
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電子特種氣體是特種氣體的一個重要分支
特種電子氣體（以下簡稱特種電子氣體）是特種氣體的一個重要分支，是集成電路（IC）、平面顯示設備（LCD、LED、OLED）、太陽能電池等電子工業生產不可或缺的原材料。 電子氣體廣泛應用于電子產品的工藝，如離子注入、蝕刻、氣相沉積、摻雜等。電子半導體器件的性能與電子氣體的質量密切相關。 產業鏈上下游 工業氣體工業的原料是空氣、工業廢氣、基礎化學原料等。其上游產業為氣體分離和清潔設備、基礎化學原料工業、壓力容器設備等。下游領域包括集成電路、液晶面板、LED、光纖通信、光伏、醫療健康、節能環保、新材料、更多 +
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高純氨氣制取的四項關鍵技術
高純度氨產品是光電子和微電子技術不可或缺的支撐材料。它廣泛應用于半導體照明、平板顯示器、太陽能電池和大型集成電路的制造。高純度氨的質量直接影響材料的光學和電學性能，甚至影響設備的使用壽命。國內外都有巨大的潛在市場。隨著國內半導體工業的發展，對高純度氨的需求快速增長，高純度電子氣體的國產化是必然的發展趨勢。 高純度氨也是通過有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）技術生產第三代復合半導體材料氮化鎵（GaN）的重要支撐材料。MOCVD生產氮化鎵（GaN）要求所用的氨必須是高純度和超清潔的，純度為7N（99.99更多 +
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高純氮氣的消防應急措施
氮氣凈化方法主要有吸附、變壓吸附、膜分離等。在生產中，黑色鋼瓶通常用于盛裝氮氣。 意圖 它被用作集成電路、半導體和電真空設備制造中的保護氣體和載氣，用于化學氣相沉積的載氣，液體擴散源的載氣以及高溫擴散爐中設備的保護氣體。在外延、光刻、純化和蒸發過程中，高純度氮氣用作置換、干燥、儲存和運輸的氣體。在生產電影鏡頭時，氮的純度必須高于99.99%。在航空航天技術中，液態氫填充系統必須首先由高純度氮氣代替，然后由高純度氦氣代替。 防火措施 迅速將受污染區域內的人員疏散到迎風的現場，將其隔離并嚴格限制更多 +
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奇怪的同位素：科學家解釋了海底甲烷的同位素悖論
甲烷是一種分子式為CH4的化合物，不僅是一種強烈的溫室氣體，也是一種重要的能源。它為我們的家供暖，甚至海底的微生物也生活在上面。微生物使用一種叫做甲烷厭氧氧化（AOM）的過程，這種過程通常發生在海底的所謂硫酸鹽-甲烷過渡區，從海底層開始，海水中的硫酸鹽與更深的沉積物中的甲烷相遇。在這里，一種特殊的微生物，厭氧甲烷氧化（ANME）古菌，消耗甲烷。它們與利用甲烷氧化過程中釋放的電子來還原硫酸鹽的細菌生活在一起。為此，這些生物形成了特征性的聯系。 這一過程發生在世界各地的海底，因此是碳循環的重要組成部分。然更多 +
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乙烯、乙炔和丙烯的熱解炭的沉積速率
當乙烯、乙炔和丙烯在950°下熱解時，熱解碳的化學氣相沉積速率隨氣體濃度而變化。如果氣體濃度較小，熱解碳的沉積速率與乙炔和丙烯的濃度呈平方關系，與乙烯的濃度呈立方關系。隨著濃度的增加，熱解碳的沉積速率遵循飽和吸附的生長模式。因此，在低濃度條件下，CVD實際上是一個活性位點吸附的飽和吸附生長過程。 隨著乙烯和其他氣體濃度的不斷增加，熱解碳的沉積速率線性增加，這是多環芳烴的縮合成核增長。在900°C和1s的氣體停留時間下，每個組分中碳元素的分布如圖9所示。除未分解的原料氣外，大多數碳元素在更多 +
