硅烷的一大應用是非晶半導體非晶硅。與單晶半導體材料相比非晶硅的特點是容易形成極薄的(厚度10nm左右)大面積器件，襯底可以是玻璃、不銹鋼、甚至塑料，表面可以是平面也可是曲面，因此可以制成各種性能優異的器件。
如今，硅烷已成為半導體微電子工藝中使用的最主要的特種氣體, 用于各種微電子薄膜制備, 包括單晶膜、微晶、多晶、氧化硅、氮化硅、金屬硅化物等。硅烷的微電子應用還在向縱深發展: 低溫外延、選擇外延、異質外延。不僅用于硅器件和硅集成電路，也用于化合物半導體器件(砷化鎵、碳化硅等)。在超晶格量子阱材料制備中也有應用。可以說現代幾乎所有先進的集成電路的生產線都需用到硅烷。硅烷的純度對器件性能和成品率關系極大，更高級的器件需要更高純度的硅烷(包括乙硅烷、丙硅烷)。
硅烷雖然是一種燃燒范圍很廣的自燃氣體，但當把它釋放到空氣中時其實并不一定會立刻燃燒，有時候可能根本不燃燒。但這并不意味著硅烷是不易燃不易爆的安全氣體。
硅烷的燃燒最主要是跟其釋放方式以及周圍環境的變化有著非常大的關系。用水霧可以消減濃煙和粉塵，但一定要注意不要熄滅任何的硅烷引起的火焰。只能通過切斷硅烷泄漏源來滅火。如果在硅烷泄漏源被切斷之前熄滅了硅烷火焰，硅烷會聚集起來，從而導致爆炸。
硅烷的可燃極限是非常廣泛的，被稀釋后的硅烷會擴大可燃范圍，而不是縮小燃燒范圍。硅烷的可燃極限的下限是2%，當引入不同的稀釋劑時可燃范圍遠遠低于這個濃度。周圍環境的空氣溫度和濕度也對可燃極限有影響。目前有些公司使用的是氣柜來供應硅烷，在氣柜開啟的瞬間由于大量氧氣涌入有很大幾率的爆炸風險。因此，國外很多在建立硅烷站時會采用氣架的方式單獨建站從而來降低爆炸風險。
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