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四氟乙烷電漿與八氟環(huán)丁烷電漿沉積特性小議

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2014-08-31 09:05:00【

  四氟乙烷是當(dāng)前世界絕大多數(shù)國(guó)家認(rèn)可并推薦使用的環(huán)保制冷劑,也是目前主流的環(huán)保制冷劑,廣泛用于新制冷空調(diào)設(shè)備上的初裝和維修過程中的再添加。用作食品氣霧噴射劑、介質(zhì)氣體,也用于替代CFC-12的混合制冷劑的組分之一。對(duì)臭氧層無破壞作用,但是是一種強(qiáng)烈的溫室氣體,其全球變暖潛能值達(dá)10300。最近有科學(xué)家對(duì)四氟乙烷電漿與八氟環(huán)丁烷電漿沉積特性進(jìn)行了比較和探討。

 

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  科學(xué)家所使用電漿鍍膜設(shè)備為射頻(Radio-frequency, RF)電漿源,單體為四氟乙烷(1,1,1,2- tetrafluoroethane, C2H2F4)及八氟環(huán)丁烷 (Octafluorocyclobutane,C4F8)。本研究主要分為三部份,第一部份主要使用連續(xù)式電漿對(duì)兩種不同單體進(jìn)行電漿沉積,并改變電漿參數(shù)有系統(tǒng)壓力及電漿功率,經(jīng)由光放射光譜儀量測(cè) 電漿輝光放電時(shí)之物種生成與其發(fā)光強(qiáng)度之不同,并與拍攝輝光放電圖互相搭配比較。薄膜厚度量測(cè)以光學(xué)膜厚儀,再藉由水滴接觸角量測(cè)儀來測(cè)量氟碳薄膜表面之 親疏水性,并使用Owen方法計(jì)算其基材表面之表面自由能。在化學(xué)分析上,使用傅立葉轉(zhuǎn)換紅外線光譜儀測(cè)量薄膜之官能基,在半定量方面,X射線光電子能譜 儀測(cè)量表面之元素組成比以分析探討薄膜之性質(zhì)。物理分析上,使用掃描式電子顯微鏡觀察薄膜表面形貌之差異。第二部份主要使用脈衝式電漿源改變不同能量循環(huán)(Duty cycle)于兩種不同單體來進(jìn)行電漿沉積,并與第一部份連續(xù)式電漿進(jìn)行比較,最后第三部份,為固定能量循環(huán)(Duty cycle),改變系統(tǒng)壓力及平均功率等電漿參數(shù)。探討不同參數(shù)下,對(duì)材料表面疏水性影響。


  四氟乙烷與八氟環(huán)丁烷電漿沉積之氟碳薄膜表面成功地使材料之表面成為疏水性之表面,四氟乙烷電漿于特定參數(shù)下,使硅晶圓可達(dá)到疏水角度為150°左右,使硅晶圓表面達(dá)到超疏水性。在化性分析上,觀察此氟碳薄 膜沉積之化學(xué)物種主要為CF2,影響其疏水性之主要原因。在脈衝式電漿中,降低能量循環(huán)后,于物性分析上,表面粗糙度則較為粗糙,且有緞帶狀沉積出現(xiàn),使得水滴接觸角達(dá)到超疏水性。

 

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