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三氯化硼BCl3化學品安全技術說明書MSDS
三氯化硼BCl3化學品安全技術說明書MSDS 第一部分 化學品化學品中文名稱：三氯化硼msds化學品俗名或商品名：氯化硼化學品英文名稱：Boron trichloride,Boron chloride推薦用途：高純硼和有機硼的制取，摻雜、蝕刻、光纖維的制造、擴散。限制用途：無資料。第二部分 危險性概述化學品名稱：三氯化硼 GHS危險性類別：急性毒性—吸入—1 皮膚腐蝕、刺激—1B更多 +
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電子級氣體大流量、不間斷、穩定輸送的發展趨勢
電子質量氣體具有大流量、連續穩定傳輸的發展趨勢，從而滿足大型量產工廠對電子質量氣體大流量、持續穩定傳輸的要求，是一個挑戰。 電子氣體傾向于集中供應，特殊氣體放置在氣室中。根據機器的流量要求合理配置輸送系統的數量。專用輸氣設備必須采用全自動切換供氣，并設計更多備用設備。對于低蒸氣壓氣體（WF6、DCS、BCl3、C5F8、ClF3等），有必要進行氣缸加熱、氣板加熱、管道跟蹤等。考慮到，為了精確控制流量，一般假設采用高精度壓力變送器、電子天平、溫度控制器等。在空氣源的末端。機器的氣體消耗點也配有質量流量計更多 +
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蝕刻技術中特種氣體的作用
硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產物主要包括AlCl3等 蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕更多 +
