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四氯化硅 純度6N/8N/10N
中文名：四氯化硅更多 +
英文名：silicon tetrachloride
化學式：SiCl4
純度：99.9999%（6N），99.999999(8N)
99.99999999（10N）
包裝：20T標準集裝箱罐
275Kg包裝罐，100Kg 包裝罐
各種純度，各種規格均有售，咨詢客服吧！
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蝕刻技術中特種氣體的作用
硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產物主要包括AlCl3等 蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕更多 +
