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氣體在半導體外延中起到的作用
外延生長本質上是一個化學反應過程。用于硅外延生長的主要氣體源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經常被用作氣體源以降低生長溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長條件和規格，其中生長溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長速率和生長溫度之間的關系。 顯示了兩個不同的增長區域。在低溫區域（區域A）中，硅外延層的生長速率與溫度成指數關系，這意味著它們由表面反應控制；在高溫范圍（區域B），生長速率與溫度幾乎沒有直接關系，表明它們受質量傳輸更多 +
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實驗室制取氫氣需要主要幾點
在實驗室中制取氫氣時，有以下幾點注意事項： 1、最好不用鹽酸，因為該反應放熱，鹽酸會揮發出氯化氫氣體，使制得的氣體含有氯化氫雜質。Zn+2HCl===ZnCl2+H2↑ 2、鉀、鈣、鈉等金屬與稀酸反應時，會優先置換出水中的氫并生成相應的堿，且反應過于劇烈 3、選取的金屬應與酸反應速率適中，產生氣泡均勻 4、不能使用硝酸或濃硫酸，因為這兩種酸具有強氧化性，反應將會生成NO2或SO2更多 +
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標準氣體組分的相容性
當標準的一氧化氮氣體在氮氣中產生時，當高純度氮氣含有氧氣時，或當填充過程中引入氧氣時，混合氣體變成NO2/N2。類似的問題可以總結如下： 1.酸性氣體和堿性氣體 常見的酸性氣體包括：HCL、H2S、SO、NO2、有機酸等。，其不能以堿性填充到瓶子中，例如NH3和有機胺； 2.還原氣體和氧化氣體不相容，不能裝在瓶子里，如H2S和SO2、H2S和NO2、H2和Cl2等。 3.易燃或自燃氣體和氧化氣體 如果可燃氣體和氧化氣體填充到同一個氣瓶中，超過爆炸下限或最低氧氣要求，則存在爆炸風險。碳氫化合更多 +
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三氯氫硅還原法制取高純硅的化學原理
SiHCl3的合成 第一步：由硅石制取粗硅 硅石（SiO2）和適量的焦炭混合，并在電爐內加熱至1600~1800℃ 可制得純度為95%~99%的粗硅。其反應式如下： SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑ 2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑ 總反應式： SiO2+2C=Si+2CO（g）↑ 生成的硅由電爐底部放出，澆鑄成錠。用此法生產的粗硅經酸處理后，其純度可達到99.9%。 第二步：SiHCl3的合成 SiHCl3是由干燥的氯化氫氣體和粗硅粉在合成更多 +
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工業氣體標準氣體氣瓶的選用
要保證標準氣體的穩定性，必須考慮氣瓶材質對所配氣體的影響，不能對氣體產生吸附、氧化等,在有效期限內量值必須穩定可靠,標準氣的有效期一般為一年。大多數常量標準氣體可采用鋼質氣瓶充裝，但微量CO、CO2、NO、SO2等微量標準氣體要使用鋁合金氣瓶充裝，對于含有SO2 、H2S 、NO 、NO2、CL2、NH3、PH3等腐蝕性成份且含量低于10ppm的標準氣體，要用內涂層鋼瓶充裝且有效期為3-6個月。對同時含有CO、CO2的標準氣體和含有HF、HCl、CHCl3等鹵代烴的標準氣體也要使用鋁合金瓶。 氣瓶更多 +
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對于Cl2和HCl標準氣體，為什么濃度10ppm左右時經常測不出讀數？
因為這類物質易溶于水，比如HCL和水的溶解比例是1：700。當其濃度很低時，盡管氣瓶已進行處理，但是減壓閥、管路未經過吹掃、鈍化，這類組分仍會被吸附。所以這類物質都需要用不銹鋼材質的減壓閥，并且要吹掃足夠長的時間，用標氣把管路保壓鈍化2-3個小時后再去使用和測定，這樣才能得到比較準確的數據。更多 +
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什么是標準氣體組分的相容性
如果產生氮氣中的氮氧化物標準氣體，如果氮氣中含有高純度的氧氣或在填充過程中帶入氧氣，則混合氣體將為NO2/N2。類似的問題可以總結如下： 1.酸性和堿性氣體 常見的酸性氣體包括：HCl、H2S、so NO2、有機酸等。不能與堿混合，如氨氣和有機胺裝在氣瓶內； 還原氣體和氧化氣體不相容，不能裝入一個氣瓶，如H2S和SO2、H2S和NO2、H2和Cl2等。 3.可燃或自燃氣體和氧化性氣體 如果易燃氣體和氧化氣體裝在同一個氣瓶內，超過最低爆炸極限或超過最低耗氧量，則有爆炸風險。由于易燃氣體、更多 +
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標準氣體中一些組分的導熱系數
標準氣體中一些組分的導熱系數 組分名稱 4.18*107w(m.k) 組分名稱 4.18*107w(m.k) 0℃ 100℃ 0℃ 100℃ 空氣 5.8 7.5 CHCL3 1.6 2.5 H2 41.6 53.4 CH2CL2 1.6 2.7 He 34.8 51.6 CH3CL 2.2 4.0 N2 5.8 7.5 CH3BR更多 +
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標準氣體組分的相容性
如果配制氮中一氧化氮標準氣體，如果高純氮中含有氧或充裝中帶入氧，那么混合氣體就變成了NO2/N2了。類似的問題總結為以下三點： 1、酸性氣體和堿性氣體 常見的酸性氣體包括：HCL、H2S、SO、NO2、有機酸等不能和堿性，如NH3及有機胺充入一個氣瓶中； 2、還原性氣體和氧化性氣體不相容，不能充裝在一個氣瓶中，如：H2S和SO2，H2S和NO2，H2和Cl2等。 3、可燃或不可燃氣體與氧化性氣體 如果在爆炸下限以上或最小需氧量以上將可燃氣體和氧化性氣體充入同一個氣瓶中，會有爆炸的危險。更多 +
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氣體成分與材料的不相容性
氣體在某種條件下與氣瓶、閥門、管路材料不相容可導致如下危險： 1、腐蝕 1）濕氣腐蝕 例如HCL、CL2在有水存在時很容易腐蝕鋼瓶，水分的引入可能來源于客戶使用，沒有關閉閥門，也可能在充裝過程中或水壓檢驗中；NH3、SO2、H2S也有類似的腐蝕。即使是干燥的氯化氫和氯氣，高濃度時也不能儲存在鋁合金氣瓶中。 2）應力腐蝕 在CO、CO2、H2O共存時，極易腐蝕碳鋼瓶。因此在制備含有CO和CO2的標準氣體時，氣瓶要進行烘干處理，原料氣體也要使用高純氣體或更多 +
